歐瑪爾開關(guān)型電動執(zhí)行器AE系列技術(shù)資料下載 |
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| 詳細(xì)介紹 | ||||||||||||||||
歐瑪爾開關(guān)型電動執(zhí)行器AE系列的技術(shù)特點(diǎn) 轉(zhuǎn) 角： 90°（大100°） 工作效率： 50% 扭 矩： 10~1960Nm（見特性表） 工作電壓： 230 Vac (+-10%) 50/60 Hz 單相 絕 緣： 100 M /500 Vdc 耐 壓： 1500Vac/分鐘 電機(jī)絕緣等級：E級 工作溫度 : -25℃至55℃（如果應(yīng)用于0℃以下，建議使用抗冷凝物質(zhì)） 防護(hù)等級： IP65（符合NEMA4.4X) 安裝法蘭： F036~F14 (ISO5211標(biāo)準(zhǔn)） 電機(jī)過熱自動保護(hù) 限位開關(guān)帶全行程可調(diào)凸輪 安全可調(diào)機(jī)械限位開關(guān) 可視位置指示 用于手動操作的可分離手柄 螺釘連接端子/電纜固定頭 大工作噪音： 73dB 選項(xiàng)（訂貨時(shí)需聲明） 電 壓： 115Vac - 24Vac - 24Vac 現(xiàn)場遠(yuǎn)程轉(zhuǎn)換開關(guān) 扭矩限制器 位置電壓計(jì)： 135 / 500 / 1K ohms 閥位變送器： R/I 4~20mA DC（***） 速度控制器： 30~240 s（***） 空間加熱器 緊急蝸輪手柄（于AE100和AE200） 驅(qū)動軸接頭 只有* AE 10÷AE 200 只有** AE 40÷AE 200 only 只有交流電壓*** AE 100÷AE 2000 only (Vac) 歐瑪爾開關(guān)型電動執(zhí)行器AE系列使用注意事項(xiàng) 以在各種突發(fā)情況下的生產(chǎn)安全性為例。 在大型管網(wǎng)系統(tǒng)中，閥門分布較廣或較遠(yuǎn)，為保證在各種突發(fā)情況下的生產(chǎn)安全性，閥門需要具有現(xiàn)地?cái)嚯姾笫謩雨P(guān)閉門，并同樣能夠在現(xiàn)地顯示及遠(yuǎn)程監(jiān)控閥門開度的功能，這就需要電動執(zhí)行機(jī)構(gòu)具有自備電池低功耗手動模式，在現(xiàn)地?cái)嚯娗闆r下進(jìn)入手動模式，利用自備電池可以不僅僅是現(xiàn)地顯示閥門開度，同時(shí)能夠提供遠(yuǎn)端閥門開度顯示起到遠(yuǎn)程監(jiān)控的作用。 低功耗手動模式，涉及到低功耗液晶屏技術(shù)、低功耗CPU技術(shù)、低功耗數(shù)據(jù)采集、計(jì)算、處理及發(fā)送并低功耗電池供電技術(shù)，其中關(guān)鍵的是閥門開度傳感器需要選用全行程的絕dui值多圈編碼器。 實(shí)際上在手動模式情況下，因變化響應(yīng)要求不高，MCU（微處理器）可以采取低功耗間隙式工作模式，也就是半休眠模式，這樣可以確保所耗功耗極低，自備電池容量能夠較長時(shí)間的使用。 當(dāng)選用低功耗半休眠模式的功能，閥門開度傳感器就要選用停電狀況下不影響位置記憶的傳感器，例如電位器或全行程多圈絕dui值編碼器。電位器的精度與測量行程有限，目前在電動執(zhí)行器上的使用有兩種方法，一種是全行程用一次電位器行程（通過變速），斷電位置不會丟失，但是那樣精度很低；另一種是用多次電位器行程，位置精度是提高了，但是每次超出行程就要靠電子記憶實(shí)現(xiàn)，當(dāng)斷電后沒有了電子記憶位置，如果用電池實(shí)現(xiàn)記憶，需耗費(fèi)較多電池能量。如果用霍爾脈沖計(jì)數(shù)的方法，計(jì)數(shù)是實(shí)時(shí)不間斷的，斷電后用電池耗電記憶，電池容 量是不夠的。選用全行程多圈絕dui值編碼器，是這種模式可能實(shí)現(xiàn)的閥門開度傳感器，當(dāng)然，由于數(shù)據(jù)讀取時(shí)間極短而要保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，要求此編碼器的數(shù)據(jù)可靠性要求就很高了。有一些選用的絕dui值編碼器是單圈功能的，超出單圈需要用電子計(jì)圈記憶，其斷電后的因需要計(jì)圈記憶的耗電較大，不適合這種半休眠低功耗模式。 全行程多圈絕dui值編碼器采用RS485主動模式發(fā)送數(shù)據(jù)，每隔8mS主動發(fā)送一次，編碼器的通電啟動時(shí)間極短，數(shù)據(jù)含兩種校驗(yàn)方式，可靠性高，由于是全行程多圈絕dui值編碼器，在總行程中的每一個(gè)位置是唯1編碼的，與前次讀數(shù)無關(guān)而無需計(jì)數(shù)、計(jì)圈及記憶，所以可以采用間隙式通電、讀數(shù)的模式，比如每隔1—5秒時(shí)間，MCU主板間隙式工作一次（或兩次），每次工作時(shí)間僅幾十毫秒，快速實(shí)現(xiàn)啟動、數(shù)據(jù)讀取、處理、發(fā)送的工作，其余時(shí)間處于休眠狀態(tài)，這就是“半休眠低功耗模式”。 |
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